SEZAR.CO
شنبه 09 دی 1391, 13:50 عصر
دو شركت آي‌بي‌ام و اينتل در تحقيقاتي جداگانه و تقريبا همزمان، به يكي از مهم‌ترين پيشرفت‌هاي حاصل http://www.avr.ir/images/stories/ibm_intel.jpgشده در زمينه توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي در چهار دهه اخير دست يافته‌اند. به گزارش ايرنا به نقل از رويترز، كشف اخير مي‌تواند سبب ادامه روند ريزتر شدن و قدرتمندتر شدن تراشه‌هاي رايانه‌اي شود واين نگراني را كه تراشه‌هاي رايانه‌اي در حال نزديك شدن به حد نهايي خود از لحاظ ظرافت هستند، براي سال‌هاي آينده برطرف كند.
در فناوري جديد ابداع شده توسط شركت‌هاي آي‌بي‌ام و اينتل، به جاي عنصر سيليكون از ماده جديدي به نام فلز هافنيوم ((Hafniumبراي تنظيم جريان برق درون ترانزيستورها استفاده مي‌شود. ترانزيستورها سوييچ‌هاي ريزي درون تراشه‌ها هستند كه وظيفه قطع و وصل جريان برق را بر عهده دارند.
گاردن مور يكي از موسسان شركت اينتل در دهه ۶۰ميلادي قانوني را به نام قانون مور بيان كرد كه در آن ذكر شده بود با توجه به پيشرفت مداوم فناوري‌هاي ساخت تراشه‌هاي رايانه‌اي، تعداد ترانزيستورهاي به كار رفته درون تراشه‌ها تقريبا هر دو سال يك بار، دو برابر مي‌شود.
اين قانون از زمان مطرح شدن در دهه شصت تاكنون همواره صدق كرده و تعداد ترانزيستورهاي گنجانده شده درون تراشه‌هاي جديد دايما افزايش يافته است اما در سال‌هاي اخير شركت‌هاي سازنده تراشه‌ها در جهت تداوم اين روند با محدوديت‌هايي مواجه شده بودند.
هم اكنون كشف اخير دو شركت آي‌بي‌ام و اينتل صحت قانون معروف مور را براي سال‌هاي آينده تضمين مي‌كند و اين بدان معناست كه صنعت توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي با فروش ميانگين ۲۵۰ ميليارد دلار در سال، همچنان پررونق خواهد بود.
با توجه به كشف جديد دو شركت اينتل و آي‌بي‌ام، اين دو شركت و همچنين ساير توليدكنندگان ت راشه‌هاي رايانه‌اي مي‌توانند نسل بعدي تراشه‌ها را با مدارهايي با ضخامت تنها ۴۵نانومتر توليد كنند.
پيشرفته‌ترين تراشه‌هاي فعلي داراي مدارهايي به ضخامت ۶۵نانومتر هستند. هر نانومتر برابر با يك ميلياردم متر است و يك مدار ۴۵نانومتري دو هزار برابر از يك تار موي انسان نازك‌تر است.
استيو اسميث يكي از مديران ارشد شركت اينتل اعلام كرد كه پردازنده‌هاي توليد شده با استفاده از فناوري جديد در مقايسه با قدرتمندترين پردازنده‌هاي فعلي اين شركت كارايي بسيار بالاتري خواهند داشت.
شركت آي‌بي‌ام نيز كه به طور همزمان به فناوري مشابهي دست يافته است اين فناوري را در آينده نزديك در اختيار شركاي تجاري خود از جمله شركت اي‌ام‌دي (دومين سازنده پردازنده‌هاي رايانه‌اي پس از اينتل) و نيز شركت ژاپني توشيبا قرار خواهد داد.
به گفته برني ميرسون مدير فناوري شركت آي‌بي‌ام، پس از ۴۰سال پيشرفت مداوم در زمينه ظريف‌تر شدن تراشه‌ها، در سال‌هاي اخير اين نگراني بوجود آمده بود كه مدارهاي تراشه‌ها در زمينه نازك‌تر شدن به حد پاياني خود نزديك مي‌شوند اما كشف اخير نشان مي‌دهد مدارهاي تراشه‌هاي رايانه‌اي را مي‌توان تا ابعاد بسيار ريز و باورنكردني كوچك كرد.
وي افزود: اين فناوري علاوه بر امكان توليد نسل بعدي تراشه‌ها با مدارهاي ۴۵نانومتري، حتي راه را براي توليد نسل بعد از آن يعني تراشه‌هاي ۲۲نانومتري نيز هموار مي‌كند.
از حدود چهل سال قبل تاكنون شركت‌هاي سازنده تراشه‌هاي رايانه‌اي از ماده سيليكون براي توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي استفاده كرده‌اند. در آخرين نمونه‌هاي اين تراشه‌ها، مدارهاي سيليكوني به اندازه‌اي كوچك شده بودند كه ضخامت آنها به تنها ۵اتم رسيده بود و همين امر باعث مي‌شد برخي الكترونها هنگام حركت در اين مدارهاي ظريف از مدار به بيرون نشت كنند كه اين امر سبب اتلاف انرژي به صورت گرما و مصرف بيشتر برق مي‌شود.
هم اكنون با استفاده از عنصر هافنيوم، امكان كاهش هرچه بيشتر ابعاد اين مدارها بدون اتلاف انرژي درون آنها فراهم شده است كه اين امر به افزايش تعداد ترانزيستورهاي قابل تعبيه درون تراشه‌ها، افزايش ۲۰درصدي توان محاسباتي و كاهش ۸۰درصدي اتلاف برق در آنها منجر خواهد شد.
شركت اينتل هنوز زمان دقيق توليد تراشه‌هاي جديد خود با استفاده از اين فناوري را اعلام نكرده‌است.
منبع: http://www.itna.ir/archives/news/006210.php (http://www.itna.ir/archives/news/006210.php)
در فناوري جديد ابداع شده توسط شركت‌هاي آي‌بي‌ام و اينتل، به جاي عنصر سيليكون از ماده جديدي به نام فلز هافنيوم ((Hafniumبراي تنظيم جريان برق درون ترانزيستورها استفاده مي‌شود. ترانزيستورها سوييچ‌هاي ريزي درون تراشه‌ها هستند كه وظيفه قطع و وصل جريان برق را بر عهده دارند.
گاردن مور يكي از موسسان شركت اينتل در دهه ۶۰ميلادي قانوني را به نام قانون مور بيان كرد كه در آن ذكر شده بود با توجه به پيشرفت مداوم فناوري‌هاي ساخت تراشه‌هاي رايانه‌اي، تعداد ترانزيستورهاي به كار رفته درون تراشه‌ها تقريبا هر دو سال يك بار، دو برابر مي‌شود.
اين قانون از زمان مطرح شدن در دهه شصت تاكنون همواره صدق كرده و تعداد ترانزيستورهاي گنجانده شده درون تراشه‌هاي جديد دايما افزايش يافته است اما در سال‌هاي اخير شركت‌هاي سازنده تراشه‌ها در جهت تداوم اين روند با محدوديت‌هايي مواجه شده بودند.
هم اكنون كشف اخير دو شركت آي‌بي‌ام و اينتل صحت قانون معروف مور را براي سال‌هاي آينده تضمين مي‌كند و اين بدان معناست كه صنعت توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي با فروش ميانگين ۲۵۰ ميليارد دلار در سال، همچنان پررونق خواهد بود.
با توجه به كشف جديد دو شركت اينتل و آي‌بي‌ام، اين دو شركت و همچنين ساير توليدكنندگان ت راشه‌هاي رايانه‌اي مي‌توانند نسل بعدي تراشه‌ها را با مدارهايي با ضخامت تنها ۴۵نانومتر توليد كنند.
پيشرفته‌ترين تراشه‌هاي فعلي داراي مدارهايي به ضخامت ۶۵نانومتر هستند. هر نانومتر برابر با يك ميلياردم متر است و يك مدار ۴۵نانومتري دو هزار برابر از يك تار موي انسان نازك‌تر است.
استيو اسميث يكي از مديران ارشد شركت اينتل اعلام كرد كه پردازنده‌هاي توليد شده با استفاده از فناوري جديد در مقايسه با قدرتمندترين پردازنده‌هاي فعلي اين شركت كارايي بسيار بالاتري خواهند داشت.
شركت آي‌بي‌ام نيز كه به طور همزمان به فناوري مشابهي دست يافته است اين فناوري را در آينده نزديك در اختيار شركاي تجاري خود از جمله شركت اي‌ام‌دي (دومين سازنده پردازنده‌هاي رايانه‌اي پس از اينتل) و نيز شركت ژاپني توشيبا قرار خواهد داد.
به گفته برني ميرسون مدير فناوري شركت آي‌بي‌ام، پس از ۴۰سال پيشرفت مداوم در زمينه ظريف‌تر شدن تراشه‌ها، در سال‌هاي اخير اين نگراني بوجود آمده بود كه مدارهاي تراشه‌ها در زمينه نازك‌تر شدن به حد پاياني خود نزديك مي‌شوند اما كشف اخير نشان مي‌دهد مدارهاي تراشه‌هاي رايانه‌اي را مي‌توان تا ابعاد بسيار ريز و باورنكردني كوچك كرد.
وي افزود: اين فناوري علاوه بر امكان توليد نسل بعدي تراشه‌ها با مدارهاي ۴۵نانومتري، حتي راه را براي توليد نسل بعد از آن يعني تراشه‌هاي ۲۲نانومتري نيز هموار مي‌كند.
از حدود چهل سال قبل تاكنون شركت‌هاي سازنده تراشه‌هاي رايانه‌اي از ماده سيليكون براي توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي استفاده كرده‌اند. در آخرين نمونه‌هاي اين تراشه‌ها، مدارهاي سيليكوني به اندازه‌اي كوچك شده بودند كه ضخامت آنها به تنها ۵اتم رسيده بود و همين امر باعث مي‌شد برخي الكترونها هنگام حركت در اين مدارهاي ظريف از مدار به بيرون نشت كنند كه اين امر سبب اتلاف انرژي به صورت گرما و مصرف بيشتر برق مي‌شود.
هم اكنون با استفاده از عنصر هافنيوم، امكان كاهش هرچه بيشتر ابعاد اين مدارها بدون اتلاف انرژي درون آنها فراهم شده است كه اين امر به افزايش تعداد ترانزيستورهاي قابل تعبيه درون تراشه‌ها، افزايش ۲۰درصدي توان محاسباتي و كاهش ۸۰درصدي اتلاف برق در آنها منجر خواهد شد.
شركت اينتل هنوز زمان دقيق توليد تراشه‌هاي جديد خود با استفاده از اين فناوري را اعلام نكرده‌است.
منبع: http://www.itna.ir/archives/news/006210.php (http://www.itna.ir/archives/news/006210.php)